Latest Post

clip_image002[8]

 

Cu puţină vreme în urmă se auzea că ar fi apărut nişte amplificatoare în prelungirea cablului de alimentare. lată-l! Atât de mic şi cu utilizări diverse, imediate.

Alimentare 1,8 - 15V!!!

Distorsiuni 0,3% la 0.5W, 9V 1KHz, pe sarcină de 8Q. Atenuare MUTE 70dB

Impedanţă de intrare 100KQ SVR 40dB (Supply Voltage Rejection)

Răspuns în frecvenţă 100 Hz - 10 kHz

Funcţionare

Proiectat iniţial pentru a fi folosit amplificatoare clasa AB, şi-a găsit utilitatea în orice aparat portabil, de la mici boxe

 

active la telefoane celulare.

Are un domeniu larg al tensiunii de alimentare, de la 1,8V pâna la 18V, recomandându-se singur în multiple aplicaţii.

clip_image004[6]

clip_image002[6]

Schema electrică

Schema electrică

Nr.Crt.

Componenta

Denumire

Valoare

Cant H

1

C1

Condensator Pol.

100|jF

1

2

C2

Condensator N.P.

22nF

1

3

C3

Condensator Pol.

470jF/25V

1

4

C4,C6

Condensator N.P.

100nF

2

5

C5

Condensator Pol.

1 000jF/25V

1

6

D1

Diodă

1N4007

1

7

D2

Led

LED

1

8

J1

Conector

RCA-1

1

9

J2

Conector

JACK-alimentare

1

10

LS1

Conector

CON2

1

11

P1

Potenţiometru

50K0

1

12

R1

Rezistenţă

10K0

1

13

R2

Rezistenţă

4,70

1

14

R3

Rezistenţă

1KO

1

15

SW1

Switch

Întrerupător cu reţinere

1

16

U1

C.I.

TDA7233D-SO8

1

Lista de componente

NCP2890

NCP2890 este un amplificator proiectat pentru dispozitivele portabile de comunicatie cum ar fi telefoanele mobile PDA-uri.. NCP2890 este capabil sa livreze  1.0 W putere continua la 8 ohmi cu o alimentare de 5V , si 320 mW la 4ohmi si alimenatre de  2.6 V. NCP2890 livreaza un sunet de caliatate si nu necesita decat cateva componente externe.Consumul de energie este deasemenea foarte scazut.Integratul ofera protectie la zgomotele de gen “pop&click” care apar in mod normal in fimpul opriri si pornirii amplificatorului.Pentru flexibilitate maxima NCP2890 ofera posibilitatea reglarii gain-ului (prin rezistente externe), la fel si a timpului de pornire  (cu condensatori de bypass). Poate fi conectat direct la baterie. Integratul este disponibil in varianta cu 9−Pini Flip−Chip CSP si in varianta Micro8.

Avantaje:

  • 1.0 W pana 8.0  cu o alimentare de 5.0 V
  • Conectare directa de la baterie
  • “Pop and Click” protectie la zgomote
  • Consum foarte scadut in mod shutdown
  • Plaja de tensiuni de alimentare intre 2.2 V−5.5 V
  • temporizare la pornirea externa programabila
  • Poate manevra sarcini capacitive pana la 1.0 nF
  • Protectie la supraincalzire

Aplicatii:

  • Dispozitive portabile
  • PDA-uri
  • Casti wireless

Schema electrica pentru NCP2890:

NCP2890 Audio Amplifier 1W

Asezarea pe placa si circuitul de imprimat NCP2890 :

PCB layout NCP2890 Audio Amplifier 1W

Descrierea amplificatorului:

TDA1566 este un amplificator audio pentru auto cu un etaj de iesire complementar realizat cu tehnologie BCDMOS. Integratul TDA1566 are doua etaje de amplificare in paralel(BTL) si vine in doua variante din fabrica,HSOP24 sau DBS27P. TDA1566 poate fi controlat cu I2C sau fara I2C .Cu I2C-bus control se poate selecta nivelul gain pe fiecare canal si nivelurile de declansare pentru diagnostice tot pe fiecare canal in parte.Deasemenea cu I2c se poate controla conditiile de eroare si de identificare a iesirii. Identificarea iesirii monitorizeaza si ajusteaza automat in functie de ce este conectat la iesirea amplificatorului si face diferenta intre o sarcina  DC sau AC,daca este conectata o boxa,o iesire pre un alt amplificator,sau daca nu este nimic conectat la iesire. TDA1566 poate fi configurat pentru o singura iesire MONO la 1Ω.

 

Ce este I2C ?

I2C-Bus: What’s that?

The I2C bus was designed by Philips in the early ’80s to allow easy communication between components which reside on the same circuit board. Philips Semiconductors migrated to NXP in 2006.

The name I2C translates into “Inter IC”. Sometimes the bus is called IIC or I²C bus.

The original communication speed was defined with a maximum of 100 kbit per second and many applications don’t require faster transmissions. For those that do there is a 400 kbit fastmode and – since 1998 – a high speed 3.4 Mbit option available. Recently, fast mode plus a transfer rate between this has been specified.  Beyond this there is the ultra fast mode UFM, but frankly, this is not a real I2C bus.

I2C is not only used on single boards, but also to connect components which are linked via cable. Simplicity and flexibility are key characteristics that make this bus attractive to many applications.

Most significant features include:

  • Only two bus lines are required
  • No strict baud rate requirements like for instance with RS232, the master generates a bus clock
  • Simple master/slave relationships exist between all components
    Each device connected to the bus is software-addressable by a unique address
  • I2C is a true multi-master bus providing arbitration and collision detection

 

 

Tehnologii incorporate:

  • Functionare atat in mod I2C cat si in non I2C
  • Versiunea TH: patru adrese I2C controlate de 2 pini ; Versiunea J:2 I2C controlate de un pin
  • Two 4 Ω or 2 Ω capable BTL channels or one 1 Ω capable BTL channel
  • doua canale de 4 Ω sau 2Ω sau un canal la 1 Ω
  • Detectare automata a defectiunilor difuzoarelor
  • Gain selectabil (26 dB si 16 dB)
  • I2C
  • Protectie pe iesire: normal, scurt si prezenta difuzor
  • Detectare automata a twetere-lor
  • Nivel de sensibilitate programabila pentru protectia DC sau AC pe iesire
  • Gain programabil individual pe fiecare canal (26 dB si 16 dB)
  • Nivel selectabil pentru alarma protectiei termice.
  • Protectie la scurt circuit individual pe fiecare canal
  • Protectie la pierdera masei
  • Toate iesirile sunt protejate fata de + si/sau masa
  • Toti pinii sunt protejati fata de masa
  • Gain controlat automat in functie de temperatura

Schema Electrica:

Schema pentru 2 x 46 W 4 Ω sau 2Ω

Schema pentru 1 x 92 W 1Ω


Localizarea defectelor prin metoda reactantei, la defecte monofazate



clip_image002

Fie o LEA cu dubla alimenatere. Schema echivalenta se prezinta in fig. 1.

 

Fig. 1 Schema echivalenta



În cazul defectului monofazat (fig. 2), situat la distanta mZL fata de bara statiei A, ecuaţiile tensiunilor şi curenţilor la locul de defect sunt:
Iy = Iz = 0
Ex = Ix RF
pentru cazul general al existenţei unei impedanţe de trecere la locul de defect. Dacă defectul este net atunci:
Ex = 0
clip_image004

Fig. 2 Schema de referinta pentru defectul monofazat (R-O)




Aplicând descompunerea în componente simetrice se obţine imediat:

clip_image006
clip_image008 

de unde rezultă conectarea serie a schemelor de succesiune directă (S.S.D.), inversă (S.S.I.) şi homopolară (S.S.H.), conform fig. 3.

clip_image010

Fig. 3 Schema echivalenta in componente simetrice

In baza fig. 3 se pot calcula valorile curentilor componente simetrice astfel:

clip_image012                                                              (1)
unde:

clip_image014                                     (2)


Curentii reali pe cele trei faze (notate cu 1 pentru faza R, 2 pentru faza S, respectiv 3 pentru faza T) se calculeaza in baza componentelor simetrice si sint:

clip_image016                                                  (3)

unde curentul de sarcina (inainte de defect):

clip_image018                                                                         (4)

Componentele simetrice ale tensiunilor pe barele staţiei A, se deduc în baza schemei din fig. 3 şi au următoarea formă:
          clip_image020                                           
clip_image022                                                         (5)
       clip_image024                                                            
Cum tensiunea remanentă pe faza cu defect, pe barele staţiei A, este însumarea celor trei tensiuni de componente simetrice, se obţine:
clip_image026         (6)
Dacă se notează factorul de pământ clip_image028iar clip_image030 se obÅ£ine relaÅ£ia:

clip_image032                                                  (7)

şi impedanţa măsurată de releu este:

 clip_image034                                 (8)
Relatia (8) poate fi rescrisa in urmatoarele forme:
clip_image036                                                           (9)

clip_image038                        (10)



Analizind relatiile (8) la (10) se pot desprinde urmatoarele:

1.      In cazul in care RF=0, metoda reactantei ofera solutia corecta, fara erori.

2.      In cazul in care RF¹0, dar LEA functioneaza radial (fara alimentare de la capatul opus), valoarea corespunzatoare RF masurata de releu (replica rezistentei de defect) este de fapt o impedanta, chiar daca la locul de defect este o rezistenta pur ohmica, asa cum rezulta din (8), pentru Ix=IA1=IAN. Ca urmare metoda reactantei este afectata de erori.

3.      In cazul in care RF¹0, si LEA functioneaza buclat, valoarea corespunzatoare RF masurata de releu (replica rezistentei de defect) este de fapt o impedanta, chiar daca la locul de defect este o rezistenta pur ohmica, asa cum rezulta din (9). Impedanta replica are tendinta de crestere, cu cit aportul din capatul opus este mai mare. Mai mult, raportul intre curentii reali de la cele doua capete ESTE un nr. COMPLEX, accentindu-se caracterul de impedanta. Ca urmare metoda reactantei este afectata de erori.

4.      In cazul in care RF¹0, si LEA functioneaza buclat, valoarea corespunzatoare RF masurata de releu (replica rezistentei de defect) este de fapt o impedanta, chiar daca la locul de defect este o rezistenta pur ohmica, asa cum rezulta si din (10). Se poate constata ca si in cazul unui sistem omogen (rapoartele din paranteza nr. reale), apare o impedanta replica ca urmare a raporului intre curentul de sarcina si curentul de scurtcircuit (care este in general un nr. complex). Si in acest caz metoda reactantei va fi afectata de erori.


Cit de mari sint aceste erori trebuie apreciat de la caz la caz, pentru portiunea de retea afectata de defect. ABB mentioneaza erori si de 25% la linii lungi, puternic incarcate si pentru cazul unor defecte cu rezistenta mare de trecere RF > 20 ohm. Pentru LEA 110Kv erorile sint mult mai mici avind in vedere lungimea relativ mica a acestora si slaba incarcare. Mai trebuie mentionat ca majoritatea defectelor monofazate sint datorate deteriorarii izolatiei LEA (conturnari, strapungeri, etc.) defecte care au rezistente MICI la locul de defect si deci se poate conta pe o eroare acceptabila a metodei reactantei. Relatia Warrington aproximeaza rezistenta de arc functie de lungimea arcului si de valoarea curentului prin arc:
clip_image040     I[A], l[m], Rarc [Ω]                                           (11)
In cazul retelelor 110 kV, pentru valori uzuale ale curentului de defect si la o lungime unitara a arcului se obtine:
clip_image042, valoare care justifica afirmatia de mai sus

Author Name

Formular de contact

Nume

E-mail *

Mesaj *

Un produs Blogger.